BATERIOVÝ USMĚRŇOVAČ - MĚNIČ (SKOKOVÝ START - 600A) 12V / 24V
Model: POWERMAT PM-PI-600T
Invertorový usměrňovač je zařízení, které umožňuje nabíjet různé typy olověných akumulátorů. Může se jednat o VKROKÉ baterie s tekutým elektrolytem, GELOVÉ baterie s gelovým elektrolytem nebo AGM baterie s podložkou absorbující elektrolyt. Zařízení navíc podporuje i startování spalovacích motorů. Funguje tak, že převádí proud a napětí dodávané ze sítě na takové, které je bezpečné pro efektivní nabíjení baterií. Díky procesu nabíjení zajišťujeme odpovídající výkon baterie, což výrazně prodlužuje její životnost.
Funkce nouzového startu umožňuje nastartovat prakticky jakékoli vozidlo, i když je baterie zcela vybitá.
Technická data
- Jmenovité napětí: 230V / 50Hz
- Nabíjecí proud: 5 - 80 [A]
- Kapacita baterie: 25 - 800 [Ah]
- Napětí nabíjecího proudu: 12V / 24V
- Maximální startovací proud: 600 A
- Maximální příkon: 100 - 1200 [W]
- Provozní teplota: -20°C - 40°C
- Účinnost: 98%
- Třída voděodolnosti: IP 20
- Délka upínacích kabelů: 183 cm
- Délka napájecího kabelu: 195 cm
Zařízení
- 1x usměrňovač
- Kabely se svorkami "-"; "+"
- Box
- Uživatelská příručka v polštině
Funkčnost
- Usměrňovač automaticky přizpůsobuje dodávaný proud požadavku motoru, na rozdíl od transformátorových zařízení, která dodávají proud staticky, což zvyšuje bezpečnost baterie.
- Po aktivaci startovací funkce zařízení čeká na okamžik, kdy motor potřebuje elektřinu – nemusíme k vozidlu spěchat, abychom jej nastartovali na splátky. Teprve po otočení klíčku startéru dodává větší proud potřebný k nastartování motoru.
- Toto řešení zaručuje bezpečnost díky stabilnímu výstupnímu napětí . Je vhodný pro autobusy i osobní vozy.
- Díky technologii IGBT je usměrňovač mnohem menší než transformátorové usměrňovače, díky čemuž je kompaktnější.
- Zařízení je vyrobeno z nejkvalitnějších komponentů.
technologie IGBT
IGBT tranzistory (Insulated Gate Bipolar Transistor) jsou polovodičové elektronické prvky, které kombinují vlastnosti bipolárního tranzistoru a tranzistoru s efektem pole (MOSFET).
Hlavní vlastnosti tranzistorové technologie IGBT jsou:
- Vysoká účinnost: IGBT tranzistory mají vysokou energetickou účinnost, díky čemuž jsou účinné výkonové spínače.
- Vysoká účinnost vedení: IGBT tranzistory jsou schopny přenášet značné elektrické proudy, díky čemuž se používají v aplikacích vyžadujících řízení vysokého výkonu.
- Vyšší napětí kolektor-emitor: IGBT mají schopnost zvládnout vyšší napětí ve srovnání s tradičními MOSFETy, což je užitečné ve vysokonapěťových aplikacích.
- Tepelná ochrana: Mnoho IGBT má vestavěné mechanismy tepelné ochrany, které zabraňují přehřátí a zlepšují spolehlivost zařízení, ve kterých se používají.
- Široké aplikace: IGBT tranzistorová technologie je široce používána ve frekvenčních měničích, spínacích zdrojích, systémech řízení výkonu, systémech pohonu elektromotorů a mnoha dalších zařízeních vyžadujících efektivní řízení výkonu.
- Aplikace v průmyslové elektronice: IGBT tranzistory se používají v průmyslových zařízeních, jako jsou invertory, které umožňují přesnou regulaci otáček elektromotorů a přeměnu elektrické energie.
Stručně řečeno, technologie IGBT je klíčovým prvkem v oblasti výkonové elektroniky a umožňuje pokročilé řízení elektřiny v různých průmyslových a spotřebitelských aplikacích.
Špičkové kabely
Jádro kabelu je vyrobeno z mědi a plně pokryto pryžovými "krokosvorkami" zajišťujícími plnou provozní bezpečnost a ochranu proti mrazu.
Plně zabezpečené "krokosvorky"
Silné a odolné, bezpečné použití.
Jádro kabelu z mědi
Použití měděného drátu může zaručit stabilní proudový výkon. Nabíjecí kabely mají dlouhou životnost a nevytvářejí teplo.
Usměrňovač je vybaven turbodmychadlem, které pracuje automaticky a chrání tranzistorové systémy IGBT.
